| 型号 | 封装 | 厂家 | 数量 | 咨询价格 | 在线订购 |
|---|---|---|---|---|---|
IKP01N120H2 |
TO-220-3 | Infineon Technologies | 168 | 鐢佃瘽锛�0755-83217923 询价QQ：  |
|
|
IKP01N120H2参数 产品类别：分离式半导体产品-IGBT - 单路 说明：IGBT 1200V 3.2A 28W TO220-3 包装数量：500 包装形式：管件 PDF资料下载：  PDF文档IGBT 类型：- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V Vge, Ic时的最大Vce（开）：2.8V @ 15V，1A 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：3.2A 功率 - 最大：28W 输入类型：标准 安装类型：通孔 |
|||||
热门型号： Card EdgeAMC25DRYN-S13 Card EdgeESM12DRTF-S13 圆形 - 外壳MS3456W20-21A Card EdgeEBM30DTBN 芯片电阻 - 表面RG3216P-3653-D-T5 Card Edge396-056-541-804 Card EdgeASM24DTBT 存储器BR25S128FVT-WE2 PMIC - 稳压KA79L12AZTA 圆形GTC06AF-32-73PW(C3) |
|||||